内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,单位都是时间周期。
内存时序即描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。 它们通常写为四个用破折号分隔开的数字,列如上图的16-18-18-36。
对!时序越低越好,不过看频率而定,内存超频时时序就要拉大。 DDR2的5-5-5-15都可以超频到800Mhz使用,800Mhz默认也是这个时序。
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